大光腔相关论文
采用液相外延技术,试制了梯形衬底大光腔(LOC)可见光AlGaAs半导体激光器。其波长为717.2～770.0nm,室温(298K)连续工作阈值电流为300......
采用液相外延技术,试制了梯形衬底大光腔(LOC)可见光AlGaAs半导体激光器。其波长为717.2～770.0nm,室温(298K)连续工作阈值电流为300......
通过采用经过优化的新型大光腔结构,脊形波导980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较......
目前808nm高效率激光二极管产品的转换效率只有50%左右,还有很大的提升空间。通过提高欧姆接触层浓度、界面渐变和波导层掺杂等方......
设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下......
简要介绍了 GaAs 大光腔、大功率激光器的制作、性能参数,讨论了其制作关键。...
利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ－ＧａＡｌＡｓ大光腔结构激光器。样品１０Ｋ下光荧光谱的峰值波长为９２６．２６ｎｍ。样品的测量结果表明，样品质量达到了设计要求。利......
本文分析了非对称大光腔结构在提高ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器输出光功率方面的优越性。计算了为获得最大功率和基模工作所应选用的有关参数。在上述分......
本文报告了一种具有实用价值的半导体大光腔激光器列阵,介绍了该器件的两种典型结构和基本特征,以及设计思想,制作工艺等.该器件阈......
采用一种新的液相外延工艺，研制出具有大光腔结构的Ｖ型槽衬底内条形可见光发射半导体激光器，其光谱波长为７７９－７８４ｎｍ，室温连续工作阈值电流为６０ｍＡ，具有......
运用波导模式理论和光束传输的非傍轴矢量矩理论，对隧道级联InGaAs／GaAs／AlGaAs半导体激光器的光束质量进行了理论研究．分析了隧道级联......
本文分析了非对称大光腔结构在提高激光器灾变性光学损伤阈值光功率方面的优点；报道了我们研究非对称大光腔ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器的初步结果：未涂覆......
研制了高功率非对称大光腔半导体激光器。脉冲阈值电流为4-5A,在工作电流为4倍阈值时,激光器单面输出峰值功率为10-12W,其灾变功率......
利用液相外延技术,研制出低阈值大光腔GaAs半导体激光器。发光波长900～910nm,阈值电流(Ith)3～5A。正常使用输出的脉冲功率为8～12W。并......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
提出并实现了一种新型多有源区隧道级联大光腔半导体激光器,提高了激光器激射窗口的宽度,得到低于20°的垂直发散角,从而提高了光......
大功率半导体激光器在众多领域都具有广泛的应用,近年来大功率半导体激光器的研究重点主要集中在如何提高输出功率、改善远场发散......
高功率980nm单模脊形量子阱半导体激光器作为光纤放大器和一些固体激光器的泵浦源,以及在通讯、军事和医疗等方面的广阔应用前景,......
高功率980nm脊形量子阱半导体激光器作为光纤放大器的泵浦源,以及在通讯、军事和医疗等方面的广阔应用前景,成为目前产业化的热点......
随着社会科技的不断进步,半导体激光技术得到了有力的发展,极大的提高了半导体激光器各方面的性能,使其逐渐成为了众多领域当中使......
提出并实现了一种新型多有源区隧道级联大光腔半导体激光器，增大了半导体激光器激射窗口的高度，得到低于20°的垂直发散角，从而显......
通过采用经过优化的新型大光腔结构 ,脊形波导 980 nm单模 In Ga As/Ga As/Al Ga As多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同......
提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器 ,近场光斑宽度达到 1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级 ,有效地解决了......
